最真實的信號呈現(xiàn)

SigOFIT光隔離探頭具有高的共模抑制比，在100MHz時CMRR高達112dB、在500MHz時CMRR仍然高達100dB，是判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判。

SigOFIT光隔離探頭MOIP350P測試精度

作為判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判，測試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標。SigOFIT光隔離探頭，具有幅頻特性，直流增益精度優(yōu)于1%，全量程范圍內最大1.41mVrms底噪，預熱后零點漂移小于500μV。 

第三代半導體的最佳測試手段

第三代半導體器件由于導通與關斷時間很短，信號具有更快的上升沿和下降沿，信號中具有很高能量的高頻諧波，SigOFIT光隔離探頭在最高帶寬時，仍然具有近100dB的共模抑制比，可以近乎地抑制高頻共模噪聲所產生的震蕩，所呈現(xiàn)的信號沒有額外多余成分，是第三代半導體測試

測試氮化鎵（GaN）不炸管

SigOFIT光隔離探頭測試引線短且采用同軸傳輸，探頭輸入電容小于3pF，測試氮化鎵（GaN）十分安全。

使用靈活

SigOFIT光隔離探頭比傳統(tǒng)高壓差分探頭體積更小，探頭引線更精巧，使用更加靈活方便。

測試量程更寬

不同于高壓差分探頭只可以測試高壓信號，SigOFIT光隔離探頭通過匹配不同的衰減器，可以測試±1.25V至±2500V的差模信號，并實現(xiàn)滿量程輸出，達到很高的信噪比。

高效便捷

SigOFIT光隔離探頭響應快，上電即測，校準時間小于1秒，可實時保證精確的信號輸出。

應用場景

對其他電壓探頭所測結果準確性、真實性存在質疑時，SigOFIT光隔離探頭可作為最終裁判依據(jù)。

電源設備評估、電流并聯(lián)測量、EMI 和 ESD 故障排除

電機驅動設計、功率轉換器設計 、電子鎮(zhèn)流器設計

氮化鎵、碳化硅、IGBT半/全橋設備的設計與分析

高壓高帶寬測試應用的安全隔離測試

逆變器、UPS及開關電源的測試

寬電壓、寬帶測試應用

各種浮地測試